相變存儲器利用電脈沖誘導(dǎo)存儲材料在非晶態(tài)與晶態(tài)之間切換，具有非揮發(fā)性、循環(huán)壽命長、寫入速度快、穩(wěn)定性好、功耗低等優(yōu)點，被業(yè)界認(rèn)為是下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所聯(lián)合中芯國際集成電路制造有限公司，選擇以嵌入式相變存儲器（PCRAM）為切入點，在國家重點研發(fā)計劃納米科技重點專項、國家科技重大專項“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”專項（02專項）、國家自然科學(xué)基金、中國科學(xué)院A類戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項、上海市領(lǐng)軍人才、上海市科委等項目的資助下，經(jīng)過十余年的研究，在存儲材料篩選、存儲芯片設(shè)計、PCRAM的基礎(chǔ)制造技術(shù)等方面取得系列重要科技進展。
大力推動“2+6+N”產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量跨越式發(fā)展
聚焦產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、企業(yè)自主創(chuàng)新、園區(qū)創(chuàng)新發(fā)展
打造發(fā)展主引擎、增加發(fā)展新優(yōu)勢
